任丙彥

最終學歷

1970年北方交通大學

主要工作經歷

一直從事半導體材料的研究與開發工作，相繼晉升講師、副教授、教授職稱並擔任半導體研究所副所長、碩導。作為負責人領導並創建了河北省半導體壓阻力敏感測器生產基地和世界上最大的中日合資、香港合資太陽能矽單晶生產基地並任技術顧問，與中科院半導體所、上海交通大學、北京太陽能研究所均有碩士課題實驗交流，與國外有一定程度業務和技術交流。

社會兼職

中國半導體材料學術委員會委員

SEMI中國標準化半導體分委會委員

主要科研項目

承擔國家及省市科研項目20餘項。

其中，近年來承擔的項目編號和名稱：

501019 氧碳雜質對矽光電池光電轉換效率的影響的研究

64050180 大規模、超大規模積體電路用中子輻照直拉矽技術

6886015 NTDCSi中輻照施主的形成機理與結構

6897011 大功率和功率集成器件用NTDCSi

69876001 大直徑矽單晶雙加熱器控氧碳機理研究

598014 大直徑矽中COPs和紅外散射缺陷的研究

目前承擔的科研項目：

1、國家自然科學基金項目：

太陽能矽單晶快速生長中結晶潛熱釋放速率與母相熔體結構關係的研究

2、河北省自然科學基金項目

高效非晶矽/多晶矽異質結太陽電池工藝與界面匹配機理研究

獲獎情況

享受國務院專家政府津貼，獲國家四等發明獎一項，省科技進步一等獎二項、二等獎一項、三等獎四項，獲河北省優秀產學研獎一項。

主要學術成果

半導體光電子技術研究，半導體光電子材料、多晶矽材料及光電子器件，矽光電源研究大直徑低氧碳矽單晶的晶體生長工藝及矽片加工工藝研究大直徑矽單晶的微缺陷研究、有限元在CZSi生長工藝研究。

發表論文

在國內外重要學術期刊《中國科學》《半導體學報》《太陽能學報》《化學學報》《Rare Metals》《Semiconductor Technology》等總計發表學術論文50餘篇，《矽外延生長技術》譯著一部。

1.“中子輻照直拉矽退火後的施主行為”核技術，1997

2.“氬氣流場分布與CZSi單晶中氧含量關係的研究”中國學術期刊，2000，vol.6,No.8,1028639

3.“大直徑直拉矽單晶爐熱場改造及數值模擬”人工晶體學報，2000,vol.29,No.4,381

4.“熱場分布對大直徑CZSi單晶中氧含量的影響”材料研究學報，2001,vol.15,No,3

5.“F6”CZSi熱系統改造對原生缺陷密度的影響”中國科學, 2001, vol.31,No.7,639

6. 直徑200mm太陽能CZ-Si 單晶複合式熱場的數值模擬，科學技術與工程，2003. 第3卷第1期

7. The effects of CZ-Si furnace modification on density of grown in defects CHINA..SCIENCE，2002．第3期

任丙彥

基本介紹