二磷化鍺鎘晶體。admiuni germanium diphosphide rr7}s- tal t'dCieYz周期表第II ,11'，}'1族元素化合物半導體。共 價鍵結合，有一定的離了鍵成分。}I:方品系黃銅礦}.'}結構。 為複式晶格、晶格常數U一S74Dnm。為直接間隙半旨體，室濫 禁頻寬度、72eV ,電子和空穴遷移率分別為ix1U =和 2.5x10 3m'-I(V·57，熔點57Ur:。1f1在錫溶液If’生}C法81J 備。為近紅外發光和雷射材料。
