二碲化銻銀晶體si;}er antimony ditH}uricfe crystal A嬌6`I}e}周期表l .V，鞏族元素化合物半導體。一般為P 型材料。-i I一方品系氯化鈉型結構，晶格常數U.&U78nrno密度 ?』l}Ic耐。熔點556 C'.。禁頻寬度O.Ce}',空穴遷移率1.4x l}一“tTl"/C V ' S } ,溫差電材料優質係數1 .$} lU-'Ift..採用C: 域熔煉法製備:為溫差電材料。
