二硫化鎵銀晶體

I-III-VI族化合物半導體。

基本介紹

• 中文名：二硫化鎵銀晶體
• 熔點：1040 ℃
• 類型：化學化工領域術語

二硫化鎵銀晶體(AgGaS2)周期表第I、III、VI族化合物半導體。共價鍵 結合，有一定的離子鍵成分。正方晶系黃銅礦型結構，晶格常 數0. 575nm。為直接帶隙半導體。室溫禁頻寬度2. 7 eV。熔 點1040 ℃。採用化學氣相沉積、定向凝固等方法製備為可 見光發光材料相非線性光學材料。