二硫化錮銀晶體，ilvcr indium d,sulphide crystal r'1.f.;In}z 周期表第J，m，'1族元素化合物半導體.、共價鍵結合，有一 定的離子鍵成分。正方品系黃銅礦型結構，晶格常數 U.5$lnm:為直接帶隙半導體。室溫時禁頻寬度1一94eV，一 般為。型材料，電子遷移率1甲5 X lU-}tnzl(1}` } s 7.採用布里 奇曼法、區域熔煉等方法製備。為bf見光發光材料。
