中子照像閃爍屏中子-光信號傳輸轉換物理過程的研究

中子照像閃爍屏中子-光信號傳輸轉換物理過程的研究

《中子照像閃爍屏中子-光信號傳輸轉換物理過程的研究》是依託東北師範大學,由馬維超擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:中子照像閃爍屏中子-光信號傳輸轉換物理過程的研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:馬維超
  • 依託單位:東北師範大學
  • 負責人職稱:教授
  • 批准號:19375011
  • 研究期限:1994-01-01 至 1996-12-31
  • 申請代碼:A3010
  • 支持經費:5(萬元)
項目摘要
本工作是對中子照像閃爍屏的理論研究及其指導下的實驗研究。其中包括:1.完成中子——帶電粒子——光子轉換,輸運的蒙特卡羅模擬軟體的研究。2.用研究出的軟體對(6)LiFZnS(Ag)型閃爍屏不同配比,不同顆粒度的模型進行模擬計算,通過計算得出了影響閃爍屏性能的原因的一些新的認識,得出了新的最佳制屏方案。3.針對所選制屏材料研究出相應制屏方法,設計加工了所需制屏設備,已具備供應商品屏的能力。4.所制出的閃爍屏在速度,固有解析度等主要指標趕上了國際通用NE426屏的水平,韌性好於NE426屏。5.對影響閃爍屏固有解析度的原因進行了分析,並通過計算給出了定量的研究結果。

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