三次掩模技術

三次掩模技術（tri-mask technique）或三次掩蔽技術是指僅僅利用三次光刻掩模來完成雙極積體電路全部製造工序的技術。這是基於橫向電晶體的原理而提出來的一種新技術。

基本介紹

• 中文名：三次掩模技術
• 外文名：tri-mask  technique
• 別稱：三次掩蔽技術
• 原理：基於橫向電晶體
• 優點：簡單、經濟
• 套用：製造雙極積體電路

作用

三次掩模的作用是：第一次光刻掩模用來刻蝕出發射區和集電區的擴散視窗， 以便經磷擴散後形成發射區和集電區；第二次光刻掩模用來確定發射極、集電極、基極和表面接點的小孔；第三次光刻掩模用來刻蝕出所需要的金屬互連導線。

優點

常規的雙極積體電路製造工藝要經過6-7次光刻工序；金屬-氧化物-半導體(MOS)積體電路也要經過5次光刻工藝。因此，三次掩模這種新技術是製造雙極積體電路的更簡單、更經濟的途徑。

套用

採用三次掩模技術製成的積體電路，電晶體之間的隔離性能良好，因此，不需另行經過特殊的隔離工序便可實現電路元件之間的電性隔離，即自隔離。

此外，採用這種新技術製成的積體電路，其電學性能目前雖然還不及採用常規技術製成的雙極積體電路，但已達到了金屬-氧化物-半導體積體電路的水平。