《一維ZnO納米材料的結構尺寸效應與力電耦合性能研究》是依託北京科技大學,由黃運華擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:一維ZnO納米材料的結構尺寸效應與力電耦合性能研究
- 依託單位:北京科技大學
- 項目負責人:黃運華
- 項目類別:面上項目
- 批准號:50772011
- 申請代碼:E0206
- 負責人職稱:教授
- 研究期限:2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費:30(萬元)
《一維ZnO納米材料的結構尺寸效應與力電耦合性能研究》是依託北京科技大學,由黃運華擔任項目負責人的面上項目。
《一維氧化鋅納米材料及力電器件的結構穩定性研究》是依託北京科技大學,由閆小琴擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 氧化鋅具有半導體和壓電雙重性質以及良好的彈性模量,可以用於機械驅動器和壓電感測器。基於單根ZnO納米線的發電機的成功...
類似地,我們對單晶的一維半導體納米結構(矽和氧化鋅納米線等)的尺寸效應也進行了研究,並在世界上首次報導了存在於高質量的單晶矽納米線中超過10%彈性應變的超彈性現象。這一系列的工作不僅加深了我們對於小尺度材料力學性質的理解,也...
隨材料特徵尺度的減小,尺寸效應、表面效應、非連續介質等特性的表現逐漸顯著,納米材料因而具有與相應塊體材料明顯不同的力學性能和各種載荷下特殊的服役行為,這是納米材料作為微/納機電器件基本結構和功能單元的基礎。一維納米線的實驗納米...
晶界、缺陷、表面散射對兩種薄膜的載流子和聲子輸運過程的影響規律,討論尺寸效應、量子限域效應、聲子拖曳、磁場對熱電性能和磁熱電性能的作用, 以期獲得薄膜熱電、磁熱電性能、微觀結構、製備條件之間的內在聯繫,為製備高熱電性能的ZnO納米...
生長了一維ZnO/ZnMgO、ZnO/MgO、ZnO/Al2O3、ZnO/CuO和ZnO/ZnS核/殼納米棒陣列,納米棒的性能依賴於殼層材料種類、厚度、結構和形態,各體系中均存在最佳殼層厚度. 用生物模板生長ZnO及Mg摻雜的納米結構,用固相法生長的ZnO納米顆粒和...
合成了準一維ZnO納米柱、納米片以及具有中空結構的ZnO柱陣列,並針對上述納米結構的結構特點開展了相關的光學性能測試及套用研究。同時在項目進行過程中拓展了研究範圍,製備多種形貌的ZnO納米草、納米梳並將其發光及場發射性能的研究也納入...
ZnO具有優異的光電性能,在光電子器件尤其是發光二極體方面有巨大的潛在套用價值。基於此,本項目擬合成ZnO一維納米線或納米帶,在其表面沿徑向生長不同半導體材料的一維納米結構,或在其頂端沿軸向生長不同半導體材料的納米管或納米線,組成...
本項目的研究內容包括:VO2納米線的可控制備;微納尺度材料力電耦合性能測試平台的設計和開發;利用先進材料表征測試技術對微納尺度材料的微觀組織結構及性能進行研究。 本項目的研究成果及意義包括: 發展了一種納米線的快速、可控焊接;...
本書主要內容包括:通過化學氣相傳輸法,首次生長出特殊的類螺桿狀結構ZnO納米線,給出了ZnO納米線直徑及納米頻寬度與電聲子耦合強度的關係,研究了一維ZnO納米結構的場發射特性;分別通過離子注入法和水蒸氣輔助氣相傳輸法,製備了Co摻雜和...
本項目針對兩類ZnO基複合納米材料: ZnO/氧化物磁性材料組成的複合納米線和ZnO/磁相變合金(如Tb-Dy-Fe合金)組成的複合薄膜,系統研究結構、組成、尺寸和維度對材料物性的影響;研究磁性、輸運性質、以及光學性能之間的相互影響,從理論...
寬帯隙纖鋅礦半導體材料(ZnO﹑GaN等)已經被廣泛套用於光發射和光電探測器件等領域。同時這種纖鋅礦結構沒有對稱中心,具有獨特的壓電性能,賦予了這類材料優異的光電/壓電耦合特性。相比塊體材料,一維結構的纖鋅礦半導體材料具有缺陷密度...
氧化鋅(ZnO)是一種重要的光電半導體材料在室溫下具有較寬的禁頻寬度(3137eV)和較大的激子束縛能(60meV),被廣泛的套用於光電二極體,感測器,壓敏電阻和光電探測器,特別是ZnO納米結構的室溫紫外光發射現象的發現,使ZnO再次成為短波半導體...
首先,我們探索原位碳熱還原法和低溫燃燒合成法並結合後續熱處理等工藝大規模合成純淨及摻雜ZnO一維單晶、多晶、異質、雜化、成分梯度等納米結構的製備技術,以便改善ZnO納米結構材料的性能。其次,探索並提出ZnO納米結構中,表面態是控制其...