《一種離子阱以及提高離子束縛效率的方法》是清華大學深圳研究生院於2019年6月28日申請的專利，該專利公布號為CN110277302B，專利公布日為2021年6月15日，發明人是余泉、李曼、王曉浩。
基本介紹
- 中文名：一種離子阱以及提高離子束縛效率的方法
- 申請日期：2019年6月28日
- 公布號：CN110277302B
- 公布日期：2021年6月15日
- 申請號：2019105768689
- 專利權人：清華大學深圳研究生院
- 地址：518055廣東省深圳市南山區西麗大學城清華校區
- 發明人：余泉; 李曼; 王曉浩
- Int. Cl.：H01J49/42(2006.01)I; H01J49/06(2006.01)I
- 專利代理機構：深圳新創友智慧財產權代理有限公司44223
- 代理人：江耀純
對比檔案,專利摘要 ,
對比檔案
CN 109585258 A,2019.04.05; CN 107799381 A,2018.03.13; CN 102760635 A,2012.10.31; CN 106104747 A,2016.11.09; CN 102067275 A,2011.05.18; CN 102324372 A,2012.01.18; CN 107799384 A,2018.03.13; CN 108022823 A,2018.05.11; CN 105655224 A,2016.06.08; CN 101151705 A,2008.03.26; US 9171706 B1,2015.10.27; CN 108447762 A,2018.08.24; US 5847386 A,1998.12.08; CN 105513937 A,2016.04.20; WO 2010034630 A2,2010.04.01; US 2002074492 A1,2002.06.20; US 2014124663 A1,2014.05.08; CN 103681206 A,2014.03.26; CN 102884608 A,2013.01.16
專利摘要
本發明公開了一種離子阱以及提高離子束縛效率的方法，包括：在離子阱的金屬電極板內沿離子入射的垂直方向開設氣體通道，該氣體通道與離子阱的離子入射狹縫具有相交之處，使得離子由所述離子入射狹縫入射的同時，橫穿所述氣體通道而入射到離子阱內；在離子入射階段，從所述氣體通道的一端通入背景氣體，使所述氣體通道內形成氣體流通方向垂直於離子入射方向的氣壓帶，且該氣壓帶的氣壓高於電極板內外兩側的氣壓；當離子經所述離子入射狹縫入射時，橫穿所述氣壓帶而進入離子阱。離子入射時經過本發明構造的高氣壓帶，與氣體碰撞降低動能，可以提高電場對離子的束縛效率。
