《一種超高純銅靶材及其晶粒取向控制方法》是寧波江豐電子材料股份有限公司於2021.01.22申請的專利，該專利的公布號為：CN112921287A，專利公布日：2021.06.08，發明人是：姚力軍; 邊逸軍; 潘傑; 王學澤; 慕二龍; 汪焱斌。
基本介紹
- 中文名：一種超高純銅靶材及其晶粒取向控制方法
- 授權公告號：CN112921287A
- 授權公告日：2021.06.08
- 申請號：2021100904913
- 發明人：姚力軍; 邊逸軍; 潘傑; 王學澤; 慕二龍; 汪焱斌
- 申請日：2021.01.22
- Int. Cl.：C23C14/35(2006.01)I; C22F1/08(2006.01)I; C21D9/00(2006.01)I; B21J1/02(2006.01)I
- 申請人：寧波江豐電子材料股份有限公司
- 專利代理機構：北京遠智匯智慧財產權代理有限公司11659
- 地址：315400浙江省寧波市餘姚市經濟開發區名邦科技工業園區安山路
- 代理人：王岩
專利摘要
本發明涉及一種超高純銅靶材及其晶粒取向控制方法，所述晶粒取向控制方法將超高純銅鑄件依次進行熱鍛處理、一次熱處理、冷鍛處理、二次熱處理、靜壓處理以及軋制，得到超高純銅靶材。本發明所述晶粒取向控制方法將熱鍛和冷鍛相結合，並在冷鍛之後加入靜壓處理，可以有效地控制超高純銅靶材的晶粒尺寸和晶粒取向，使得超高純銅靶材的晶粒尺寸≤10μm，晶粒取向為(110)面的晶粒占比為30％‑50％，滿足積體電路14nm工藝製程對於晶粒尺寸和晶粒取向的雙重要求，保證了濺射過程穩定，濺射膜厚度均勻；而且，本發明所述晶粒取向控制方法的工藝操作簡便，無需複雜工藝條件，製備成本較低，適用性廣。
