一種細徑保偏光纖

一種細徑保偏光纖

《一種細徑保偏光纖》是烽火通信科技股份有限公司和武漢烽火銳光科技有限公司於2015年1月7日申請的專利,該專利的申請號為2015100058312,公布號為CN104536085A,授權公布日為2015年4月22日,發明人是羅文勇、劉志堅、柯一禮、莫琦、胡福明、雷瓊、康志文、但融、趙磊。

《一種細徑保偏光纖》涉及特種光纖領域,具體涉及一種細徑保偏光纖,包括石英光纖,其外圍設定有內塗層和外塗層,石英光纖的內部設定有光纖芯層和石英包層,光纖芯層和石英包層之間設定有2個應力區,內塗層和外塗層之間設定有緩衝塗層,每個應力區外圍均設定有與應力區同心的緩衝層;細徑保偏光纖的工作波長為1310納米時,其衰減達到0.5分貝/千米以下,串音達到-35分貝/千米;所述細徑保偏光纖的工作波長為1550納米時,其衰減達到0.4分貝/千米以下,串音達到-30分貝/千米。該發明不僅具有優良的衰減和串音穩定特性,而且具有優良的長期工作穩定特性,能夠為高精度光纖陀螺的研製提供更好的光纖環,進而為光纖陀螺向小型化、高精度方向的發展奠定基礎。

2018年12月20日,《一種細徑保偏光纖》獲得第二十屆中國專利優秀獎。

(概述圖為《一種細徑保偏光纖》摘要附圖)

基本介紹

  • 中文名:一種細徑保偏光纖
  • 公布號:CN104536085A
  • 授權日:2015年4月22日
  • 申請號:2015100058312
  • 申請日:2015年1月7日
  • 申請人:烽火通信科技股份有限公司、武漢烽火銳光科技有限公司
  • 地址:湖北省武漢市東湖開發區關東科技園東信路5號
  • 發明人:羅文勇、劉志堅、柯一禮、莫琦、胡福明、雷瓊、康志文、但融、趙磊
  • Int.Cl.:G02B6/024(2006.01)I; G02B6/02(2006.01)I; G02B6/028(2006.01)I
  • 代理機構:北京捷誠信通專利事務所(普通合夥)
  • 代理人:魏殿紳、龐炳良
  • 類別:發明專利
專利背景,發明內容,專利目的,技術方案,改善效果,附圖說明,技術領域,權利要求,實施方式,操作內容,實施案例,榮譽表彰,

專利背景

PMF(Polarization Maintaining Optical Fiber,偏振保持光纖,簡稱保偏光纖)是一種在實現光的單模傳輸特性的同時保持其線偏振狀態的特種光纖。由於PMF具有應力雙折射效應,因此PMF能夠在傳輸線偏振光時良好地保持偏振態。PMF的線偏振保持能力在許多與偏振相關的套用領域具有使用價值(例如多維復用相干通信、光纖陀螺技術、電流互感技術、光纖水聽器和偏振感測等)。
PMF在光纖陀螺中使用時,將PMF繞制為光纖環進行套用。光纖環是光纖陀螺中的核心部件,光纖環的性能直接決定光纖陀螺的性能表現,光纖環中光纖的長度決定光纖陀螺的精度,光纖自身性能決定光纖環圈環境適應性的關鍵,進而決定了光纖陀螺的環境適應性表現。採用PMF的光纖陀螺與一般通信用光纖的使用環境和過程均不一樣,採用PMF的光纖陀螺重點在於關注光纖的力學、光學偏振和環境適應性等性能指標(主要包括常溫串音、全溫串音、常溫損耗、全溫附加損耗變化、模場直徑、拍長、張力篩選、包層直徑、塗敷直徑等)。
PMF的類別主要包括幾何雙折射保偏光纖和應力雙折射保偏光纖。幾何雙折射保偏光纖主要為橢圓纖芯保偏光纖,幾何雙折射保偏光纖使用時,利用纖芯的幾何不對稱來實現雙折射效應控制光的線偏振態。應力雙折射保偏光纖主要包括領結型保偏光纖、橢圓包層型保偏光纖和熊貓型保偏光纖;雙折射保偏光纖使用時,通過在光纖的包層引入和包層材料膨脹係數相差巨大的材料形成應力區,通過應力來壓縮纖芯傳輸的光的模場實現雙折射效應,以保持光的線偏振特性。
自熊貓型保偏光纖成功推出以來,受到光纖陀螺的技術需求的推動,自熊貓型保偏光纖的包層直徑/塗層直徑的演變過程為:200微米/400微米、125微米/245微米、80微米/165微米。自熊貓型保偏光纖的包層直徑在80微米時,其塗層直徑最小達到165微米左右,與125微米/245微米的常規光纖相比,80微米/165微米的自熊貓型保偏光纖的塗層直徑(165微米)減小了30%以上,體積減小了50%以上。
綜上所述,將80微米/165微米的自熊貓型保偏光纖作為光纖陀螺的光纖環的外形尺寸較小,進而為光纖陀螺的套用帶來了一系列好處,其中以對光纖環溫度性能的改善效果最為顯著。但是,隨著光纖陀螺技術的進一步發展,以及智慧型電網用電流互感技術的套用發展要求,光纖環需要更好的溫度性能和更小的尺寸。
面對這一新的要求,有必要研究出更小外形尺寸的保偏光纖;傳統的減小保偏光纖外形尺寸的方法一般為單純的直接降低光纖的直徑。但是,因為光纖的直徑越小、塗層越薄,進而導致光纖抗外界干擾能力下降的困擾,所以傳統的減小保偏光纖外形尺寸的方法難以套用於精度需求較高的光纖陀螺。
因此,如何發展出即與常規通信光纖和保偏光纖具有良好熔接性能,還具有更細小的體積,同時還具有優良的幾何與光學性能的保偏光纖成為諸多更高性能的光纖陀螺、互感器等套用技術急需解決的難題。
眾所周知,當光纖環中某一段光纖存在時變溫度擾動時,兩束反向傳播光波在不同時間經過該光纖時,會因溫度擾動而經歷不同的相移,該相移為環境溫度引起的非互易相移(即Shupe效應)。Shupe效應帶來的光纖陀螺的測量誤差稱之為Shupe誤差。
某段光纖上的溫度變化率通常由環境溫度引起的光纖環內側、外側的溫度梯度造成,表征Shupe誤差的溫度速率靈敏度也稱為溫度梯度靈敏度。環境溫度引起的光纖陀螺偏置漂移是由溫度變化率引起的,由於這種Shupe誤差與旋轉引起的Sagnac效應相移難以區分,因此必須採取措施抑制光纖陀螺的溫度漂移。
現在抑制光纖陀螺的溫度漂移的方法一般為:通過四極法或八極法等對稱繞制方法來繞制光纖環,通過使相鄰兩對對稱的光纖層層序相反,以補償徑向溫度場梯度。該方法對光纖陀螺中的Shupe誤差起到了非常有效的抑制效果,但受工藝設備所限,光纖環繞制狀態依然存在非理想性,在中高精度的光纖陀螺套用中,殘餘溫度漂移仍是不可忽略的。
細徑保偏光纖可以抑制光纖陀螺的溫度漂移,細徑保偏光纖包層直徑為80微米或更小,塗層直徑從90~140微米不等。與80/165微米(包層直徑/塗層直徑)的保偏光纖相比,細徑保偏光纖的抗彎曲性能較好;同樣長度的光纖可以繞制更小尺寸的環,同時光纖在陀螺結構上的層數也相應減少,光纖環內外側的溫度差降低,從而可以有效抑制光纖陀螺的Shupe誤差,提高光纖陀螺的全溫性能。與此同時,對於幾何尺寸確定的光纖陀螺而言,使用細徑保偏光纖可以繞制長度更長的光纖環,能大幅提高同等尺寸下光纖陀螺的極限精度,滿足了中高精度光纖陀螺的小型化套用需求。
然而,隨著光纖幾何尺寸的不斷縮小,如何在減小光纖包層直徑和塗層直徑的同時保持保偏光纖的優異性能成為光纖設計和製造過程中的一大難題。

發明內容

專利目的

《一種細徑保偏光纖》的目的在於提供一種細徑保偏光纖,不僅具有優良的衰減和串音穩定特性,而且具有優良的長期工作穩定特性,能夠為高精度光纖陀螺的研製提供更好的光纖環,進而為光纖陀螺向小型化、高精度方向的發展奠定基礎。

技術方案

《一種細徑保偏光纖》提供的:一種細徑保偏光纖,包括石英光纖,石英光纖的外圍設定有內塗層和外塗層,石英光纖的內部設定有光纖芯層和石英包層,石英包層位於光纖芯層的外圍;光纖芯層和石英包層之間設定有2個應力區,2個應力區沿光纖芯層的中心對稱分布;所述內塗層和外塗層之間設定有緩衝塗層,每個應力區外圍均設定有與應力區同心的緩衝層;
所述光纖芯層的折射率為n,所述緩衝層的折射率為n,所述石英包層的折射率為n石;所述應力區的折射率為n應,應力區外圍的折射率為n應外,應力區中心的折射率為n應中
n與n石的相對摺射率差△n為0.5%~1.3%,n與n石的相對摺射率差△n為-0.1%~-0.4%;n應外與n石的相對摺射率差△n應外為-0.1%~-0.4%,n應中與n石的相對摺射率差△n應中為-1.2%~-0.8%;
所述細徑保偏光纖的工作波長為1310納米時,其衰減達到0.5分貝/千米以下,串音達到-35分貝/千米;所述細徑保偏光纖的工作波長為1550納米時,其衰減達到0.4分貝/千米以下,串音達到-30分貝/千米。
在上述技術方案的基礎上,所述光纖芯層的直徑為d,所述緩衝層的直徑為d,所述石英光纖的直徑為d,所述應力區的直徑為d;d與d的比值為0.05~0.08,d與d的比值為1.0~1.2,d與d的比值為0.2~0.4。
在上述技術方案的基礎上,所述內塗層的直徑為d,所述緩衝塗層的直徑為d緩塗,所述外塗層的直徑為d,d與d的比值為0.65~0.85,d緩塗與d的比值為0.75~0.9。
在上述技術方案的基礎上,所述石英光纖的直徑d為50微米或80微米,所述d為90微米~140微米。
在上述技術方案的基礎上,所述內塗層的楊氏模量為0.05兆帕~20兆帕,所述外塗層的楊氏模量為0.5吉帕~1.5吉帕;所述緩衝塗層的楊氏模量為0.1兆帕~600兆帕、且緩衝塗層的楊氏模量在內塗層和外塗層之間。
在上述技術方案的基礎上,所述內塗層、緩衝塗層和外塗層製作時,所述內塗層採用單模具塗覆、並經紫外線固化後,再經雙模具同時塗覆緩衝塗層和外塗層,最後將緩衝塗層和外塗層同時通過紫外線固化。
在上述技術方案的基礎上,所述相對摺射率差的計算公式為:Δ=(n折-n石)/(n折+n石)·100%,其中Δ為相對摺射率差;當計算光纖芯層與石英包層相對摺射率差時,上述公式中n折為n;當計算緩衝層與石英包層的相對摺射率差時,上述公式中n折為n;當計算應力區外圍與石英包層的相對摺射率差時,上述公式中n折為n應外;當計算應力區中心與石英包層的相對摺射率差時,上述公式中n折為n應中
在上述技術方案的基礎上,所述光纖芯層採用摻鍺的方式製成,所述緩衝層採用淺摻硼的方式製成,所述應力區採用深摻硼的方式製成。

改善效果

(1)《一種細徑保偏光纖》設計了一種新的保偏光纖的波導結構,保偏光纖的應力區周圍設定有一層緩衝層,應力區採用平滑拋物線型波導結構,芯區為拋物線結合平台型的波導結構。因此,《一種細徑保偏光纖》能夠在光纖包層直徑減小的情況下,解決由於應力區占整個石英區的比例偏大時造成的衰減偏大問題。
與此同時,《一種細徑保偏光纖》在常規的內塗層和外塗層之間設計有一層很薄的緩衝塗層,從而能夠有效解決薄塗層情況下,由於塗層變薄造成的保偏光纖的串音難以優良控制的問題。
綜上所述,《一種細徑保偏光纖》通過緩衝層和緩衝塗層的雙重緩衝設計,為保偏光纖的直徑的進一步變細提供基礎,《一種細徑保偏光纖》中具有雙重緩衝設計的細徑保偏光纖不僅具有優良的衰減和串音穩定特性,而且具有優良的長期工作穩定特性,能夠為高精度光纖陀螺的研製提供更好的光纖環,進而為光纖陀螺向小型化、高精度方向的發展奠定基礎。
(2)《一種細徑保偏光纖》為良好的實現內塗層、緩衝塗層和外塗層(可形象的理解為三明治式塗層),開發出乾+濕+濕的全新塗覆技術,即內塗層為單模具塗覆,緩衝塗層和外塗層則採用雙模具同時塗覆,從而在光纖具有三層塗層結構的情況下,仍可使用兩道塗覆固化技術即可實現光纖的良好固化,對於具有優良衰減和串音特性的保偏光纖的研製提供了可行的技術方案。

附圖說明

圖1為《一種細徑保偏光纖》實施例中細徑保偏光纖石英端面的結構示意圖;
圖2為《一種細徑保偏光纖》實施例中細徑保偏光纖塗層端面的結構示意圖;
圖3為《一種細徑保偏光纖》實施例中細徑保偏光纖有應力區部分的波導結構示意圖;
圖4為《一種細徑保偏光纖》實施例中細徑保偏光纖在長期老化條件下的光纖衰減的穩定特性曲線的走勢圖;
圖5為《一種細徑保偏光纖》實施例中細徑保偏光纖在長期老化條件下的光纖串音的穩定特性曲線的走勢圖。
圖中:1-光纖芯層,2-石英包層,3-緩衝層,4-應力區,5-石英光纖,6-內塗層,7-緩衝塗層,8-外塗層。

技術領域

《一種細徑保偏光纖》涉及特種光纖領域,具體涉及一種細徑保偏光纖。

權利要求

1.一種細徑保偏光纖,包括石英光纖(5),石英光纖(5)的外圍設定有內塗層(6)和外塗層(8),石英光纖(5)的內部設定有光纖芯層(1)和石英包層(2),石英包層(2)位於光纖芯層(1)的外圍;光纖芯層(1)和石英包層(2)之間設定有2個應力區(4),2個應力區(4)沿光纖芯層(1)的中心對稱分布;其特徵在於:所述內塗層(6)和外塗層(8)之間設定有緩衝塗層(7),每個應力區(4)外圍均設定有與應力區(4)同心的緩衝層(3);光纖芯層(1)的折射率為n,所述緩衝層(3)的折射率為n,所述石英包層(2)的折射率為n石;所述應力區(4)的折射率為n應,應力區(4)外圍的折射率為n應外,應力區(4)中心的折射率為n應中;所述相對摺射率差的計算公式為:Δ=(n折-n石)/(n折+n石)·100%,其中Δ為相對摺射率差;當計算光纖芯層(1)與石英包層(2)相對摺射率差時,上述公式中n折為n;當計算緩衝層(3)與石英包層(2)的相對摺射率差時,上述公式中n折為n;當計算應力區(4)外圍與石英包層(2)的相對摺射率差時,上述公式中n折為n應外;當計算應力區(4)中心與石英包層(2)的相對摺射率差時,上述公式中n折為n應中;n與n石的相對摺射率差△n為0.5%~1.3%,n與n石的相對摺射率差△n為-0.1%~-0.4%;n應外與n石的相對摺射率差△n應外為-0.1%~-0.4%,n應中與n石的相對摺射率差△n應中為-1.2%~-0.8%;所述細徑保偏光纖的工作波長為1310納米時,其衰減達到0.5分貝/千米以下,串音達到-35分貝/千米;所述細徑保偏光纖的工作波長為1550納米時,其衰減達到0.4分貝/千米以下,串音達到-30分貝/千米。
2.如權利要求1所述的細徑保偏光纖,其特徵在於:所述光纖芯層(1)的直徑為d,所述緩衝層(3)的直徑為d,所述石英光纖(5)的直徑為d,所述應力區(4)的直徑為d;d與d的比值為0.05~0.08,d與d的比值為1.0~1.2,d與d的比值為0.2~0.4。
3.如權利要求1所述的細徑保偏光纖,其特徵在於:所述內塗層(6)的直徑為d,所述緩衝塗層(7)的直徑為d緩塗,所述外塗層(8)的直徑為d,d與d的比值為0.65~0.85,d緩塗與d的比值為0.75~0.9。
4.如權利要求3所述的細徑保偏光纖,其特徵在於:所述石英光纖(5)的直徑d為50微米或80微米,所述d為90微米~140微米。
5.如權利要求3所述的細徑保偏光纖,其特徵在於:所述內塗層(6)的楊氏模量為0.05兆帕~20兆帕,所述外塗層(8)的楊氏模量為0.5吉帕~1.5吉帕;所述緩衝塗層(7)的楊氏模量為0.1兆帕~600兆帕、且緩衝塗層(7)的楊氏模量在內塗層(6)和外塗層(8)之間。
6.如權利要求1至5任一項所述的細徑保偏光纖,其特徵在於:所述內塗層(6)、緩衝塗層(7)和外塗層(8)製作時,所述內塗層(6)採用單模具塗覆、並經紫外線固化後,再經雙模具同時塗覆緩衝塗層(7)和外塗層(8),最後將緩衝塗層(7)和外塗層(8)同時通過紫外線固化。
7.如權利要求1至5任一項所述的細徑保偏光纖,其特徵在於:所述光纖芯層(1)採用摻鍺的方式製成,所述緩衝層(3)採用淺摻硼的方式製成,所述應力區(4)採用深摻硼的方式製成。

實施方式

操作內容

參見圖1、圖2所示,《一種細徑保偏光纖》實施例中的細徑保偏光纖包括石英光纖5,石英光纖5的內部設定有光纖芯層1和石英包層2,石英包層2位於光纖芯層1的外圍。光纖芯層1和石英包層2之間設定有2個應力區4,2個應力區4沿光纖芯層1的中心對稱分布,每個應力區4外圍均設定有1層與應力區4同心的緩衝層3。石英光纖5的外圍設定有內塗層6和外塗層8,內塗層6和外塗層8之間設定有緩衝塗層7。
光纖芯層1的折射率為n,緩衝層3的折射率為n,石英包層2的折射率為n石;應力區4的折射率為n應,應力區4外圍的折射率為n應外,應力區4中心的折射率為n應中
《一種細徑保偏光纖》實施例中的細徑保偏光纖的相對摺射率差的計算公式為:Δ=(n折-n石)/(n折+n石)·100%,其中Δ為相對摺射率差;當計算光纖芯層1與石英包層2相對摺射率差時,上述公式中n折為n;當計算緩衝層3與石英包層2的相對摺射率差時,上述公式中n折為n;當計算應力區4外圍與石英包層2的相對摺射率差時,上述公式中n折為n應外;當計算應力區4中心與石英包層2的相對摺射率差時,上述公式中n折為n應中
參見圖3所示,光纖芯層1的波導結構為階躍式波導結構,光纖芯層1採用摻鍺的方式製成,n與n石的相對摺射率差△n為0.5%~1.3%。緩衝層3採用淺摻硼的方式製成,n與n石的相對摺射率差△n為-0.1%~-0.4%。應力區4採用深摻硼的方式製成,n應外與n石的相對摺射率差△n應外為-0.1%~-0.4%,n應中與n石的相對摺射率差△n應中為-1.2%~-0.8%。
光纖芯層1的直徑為d,緩衝層3的直徑為d,石英光纖5(即石英包層2)的直徑為d,應力區4的直徑為d;d與d的比值為0.05~0.08,d與d的比值為1.0~1.2,d與d的比值為0.2~0.4。
《一種細徑保偏光纖》實施例中石英光纖5的直徑d為50微米或80微米,內塗層6的直徑為d,緩衝塗層7的直徑為d緩塗,外塗層8的直徑d為90微米~140微米。d與d的比值為0.65~0.85,d緩塗與d的比值為0.75~0.9。
緩衝塗層7的楊氏模量在內塗層6和外塗層8之間,內塗層6的楊氏模量為0.05兆帕~20兆帕,外塗層8的楊氏模量為0.5吉帕~1.5吉帕,緩衝塗層7的楊氏模量為0.1兆帕~600兆帕。
內塗層6、緩衝塗層7和外塗層8均採用紫外線固化而成,具體為:內塗層6採用單模具塗覆、並經紫外線固化後,再經雙模具同時塗覆緩衝塗層7和外塗層8,最後將緩衝塗層7和外塗層8同時通過紫外線固化,從而實現特殊的乾+濕+濕塗覆固化。
《一種細徑保偏光纖》實施例中的細徑保偏光纖的工作波長為1310納米時,其衰減達到0.5分貝/千米以下,串音達到-35分貝/千米;細徑保偏光纖的工作波長為1550納米時,其衰減達到0.4分貝/千米以下,串音達到-30分貝/千米。
《一種細徑保偏光纖》實施例中的細徑保偏光纖的製作原理如下:
△n較大時,模場直徑可控制小一些,保偏光纖的抗彎曲能力較強,△n較小時,保偏光纖的衰減會更好一些,同時模場直徑會變大,保偏光纖的抗彎曲能力較弱。
n、n和n應中相匹配,當n較高、且n應中較大時,n的取值可偏大,此時只需對保偏光纖較低的緩衝能力;當n較高較低、且而n4的最低值較小時,n3的取值可偏小,此時需對保偏光纖提供較高的緩衝能力。
△n應外和△n應中能夠控制折射率範圍,進而實現在細徑保偏光纖條件下良好的串音與拍長性能的控制。
《一種細徑保偏光纖》特定的直徑比值能夠實現保偏光纖的良好的模場直徑、截止波長以及光纖的串音與拍長等性能控制。

實施案例

下面通過2個實施例具體說明《一種細徑保偏光纖》的細徑保偏光纖。
  • 實施例1
石英光纖5的直徑d為80微米時的4種細徑保偏光纖:光纖1、光纖2、光纖3和光纖4,光纖1、光纖2、光纖3和光纖4的具體參數見表1。
表1、d石為80微米時的4種細徑保偏光纖的參數表
參數名稱
光纖1
光纖2
光纖3
光纖4
d/d
0.05
0.06
0.07
0.08
△n
1.2%
0.8%
1.3%
0.50%
d/d
1.0
1.1
1.2
1.05
△n
-0.3%
-0.85%
-0.4%
-0.1%
d/d
0.2
0.35
0.4
0.25
△n應中
-0.9%
-1.05%
-1.2%
-0.8%
△n應外
-0.3%
-0.85%
-0.4%
-0.1%
d(微米)
120
135
140
125
d/d
0.65
0.85
0.75
0.7
d緩塗/d
0.75
0.8
0.9
0.85
內塗層6楊氏模量(兆帕)
0.05
0.1
0.5
20
緩衝塗層7楊氏模量(兆帕)
250
0.1
10
600
外塗層8楊氏模量(吉帕)
1.5
0.8
0.5
1.0
工作波長
1310
1310
1550
1550
衰減分貝/千米
0.43
0.32
0.28
0.35
串音分貝/千米
-32
-35
-30
-27
  • 實施例2
石英光纖5的直徑d為50微米時的4種細徑保偏光纖:光纖5、光纖6、光纖7和光纖8,光纖5、光纖6、光纖7和光纖8具體參數見表2。
表2、d石為50微米時的4種細徑保偏光纖的參數表
參數名稱
光纖5
光纖6
光纖7
光纖8
d/d
0.06
0.05
0.07
0.08
△n
1.3%
0.5%
0.8%
1.2
d/d
1.1
1.0
1.05
1.2
△n
-0.3%
-0.85%
-0.4%
-0.1%
d/d
0.25
0.4
0.35
0.2
△n應中
-0.8%
-1.05%
-1.2%
-0.9%
△n應外
-0.1%
-0.85%
-0.4%
-0.3%
d(微米)
90
105
135
110
d/d
0.65
0.75
0.8
0.7
d緩塗/d
0.75
0.9
0.8
0.85
內塗層6楊氏模量(兆帕)
20
0.5
0.2
0.05
緩衝塗層7楊氏模量(兆帕)
250
10
0.2
600
外塗層8楊氏模量(吉帕)
1
0.8
0.5
1.5
工作波長
1310
1310
1550
1550
衰減 分貝/千米
0.46
0.42
0.36
0.39
串音 分貝/千米
-39
-35
-30
-25
《一種細徑保偏光纖》對實施例1和2得到的光纖進行85度高溫和85%濕度的長期老化試驗。通過近1個月的多個樣品的重複試驗,經過大量數據分析,得出光纖在工作5年條件下的光纖衰減和串音的穩定工作特性的理論值。參見圖4所示,光纖5年內在溫度85度和濕度85%的條件下,衰減係數增加量不會超過其本徵附加衰減的1.6%。對於出廠時附加損耗小於0.05dB的保偏光纖來說,保偏光纖5年衰減係數增加量在0.0008dB左右。參見圖5所示,光纖在溫度85度和濕度85%的條件下,歷經5年後會比出廠前在同等外界應力條件下雙折射下降2.6%左右,並將保持平衡。

榮譽表彰

2018年12月20日,《一種細徑保偏光纖》獲得第二十屆中國專利優秀獎。

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