《一種氮化鎵基LED外延片及其生長方法》是大連美明外延片科技有限公司於2010.03.16申請的專利，該專利公布號：CN102194939A，專利公布日：2011.09.21，發明人是：王東盛; 劉俊; 關秋雲; 周德保; 肖志國。
基本介紹
- 中文名：一種氮化鎵基LED外延片及其生長方法
- 公布號：CN102194939A
- 申請日：2010.03.16
- 申請人：大連美明外延片科技有限公司
- 發明人：王東盛; 劉俊; 關秋雲; 周德保; 肖志國
- 申請公布日：2011.09.21
- Int. Cl.：H01L33/06(2010.01)I; H01L33/32(2010.01)I
- 申請號：2010101284375
- 地址：116025遼寧省大連市高新園區高能街1號
專利摘要
一種氮化鎵基LED外延片及其生長方法，其結構從下至上依次為襯底、氮化鎵基緩衝層、非摻雜氮化鎵層、n型氮化鎵層、多量子阱層、p型鋁鎵氮層、p型氮化鎵層和接觸層，其特徵在於所述接觸層為n型InxGa1-xN層，或者為p型InxGa1-xN層，其中x為摩爾係數，0＜x＜1。通過在接觸層中加入In組分和濃度漸變的摻雜層來獲得調製摻雜接觸層外延結構，緩解靜電對氮化鎵基LED的衝擊，提高LED對靜電的耐受能力。按照標準晶片工藝製作成300×300μm的晶片，其反向4000V的ESD良品率為90％以上。
