《一種基於深度學習的二階亥姆霍茲共鳴器設計方法》是中國科學院聲學研究所於2021年3月16日申請的專利，該專利公布號為CN112926159A，專利公布日為2021年6月8日，發明人是孫雪聰、賈晗、楊玉真、畢亞峰、楊軍。
基本介紹
- 中文名：一種基於深度學習的二階亥姆霍茲共鳴器設計方法
- 申請公布號 ：CN112926159A
- 申請公布日 ：2021.06.08
- 申請號 ：202110281706X
- 申請日：2021.03.16
- 申請人：中國科學院聲學研究所
- 地址：100190北京市海淀區北四環西路21號
- 發明人：孫雪聰; 賈晗; 楊玉真; 畢亞峰; 楊軍
- Int. Cl.：G06F30/17(2020.01)I; G06F30/27(2020.01)I; G06N3/04(2006.01)I; G06N3/08(2006.01)I
- 專利代理機構：北京方安思達智慧財產權代理有限公司11472
- 代理人：陳琳琳; 張萍
專利摘要
本發明公開了一種基於深度學習的二階亥姆霍茲共鳴器設計方法，用於基於二階亥姆霍茲共鳴器的兩個共振頻率f1和f2，對二階亥姆霍茲共鳴器的幾何參數進行設計；所述方法包括：針對具體的設計需求生成N條符合要求的隔聲曲線，並將N條隔聲曲線輸入預先建立和訓練好的深度神經網路模型，輸出N組對應的等效電學參數；基於二階亥姆霍茲共鳴器幾何參數和等效電學參數間的轉換關係公式，根據N組等效電學參數，計算出N組二階亥姆霍茲共鳴器的幾何參數；根據N組二階亥姆霍茲共鳴器的幾何參數計算對應的隔聲曲線，從N條隔聲曲線中選擇出最優隔聲曲線，將最優隔聲曲線對應的二階亥姆霍茲共鳴器幾何參數作為設計出的結構參數。
