《Ⅳ族支撐團簇及其構成薄膜的結構和光電性質》是依託南京大學，由王廣厚擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：Ⅳ族支撐團簇及其構成薄膜的結構和光電性質
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：王廣厚
- 依託單位：南京大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：19574026
- 申請代碼：A2004
- 研究期限：1996-01-01 至 1998-12-31
- 支持經費：9（萬元）
項目摘要
首次用蒸發和惰性氣體冷凝法製得直徑約4納米的Si團簇，嵌入多孔矽基體中，形成準自由團簇。雷射拉曼譜發現，除了多孔矽的主峰外，首次觀察到幾個寬度很窄的低頻峰，分別為27、37和195厘米。它們分別對應於球形自由矽團簇表面振動模SA（O）、SA（2）以及表面模與TA模的組合TA（L）+SA（1）。這些峰在多孔矽、單晶矽和非晶矽中均未出現過。成功地製備了Ge團簇構成緻密的納米膜，首次觀察到大的帶隙蘭移（2.00eV）以及發射強的光致蘭光和紫光。其多峰結構，除了Ge團簇芯中激子的量子約束效應外，在表面和界面的缺陷中心（Ge2O）存在單態和三態的輻射躍遷。為直接利用Ge團簇製備光電組合器件提供了可能的途徑。
